Samsung ra mắt bộ nhớ lưu trữ UFS 5.0 đầu tiên trên thế giới

Với tốc độ truyền dữ liệu lên tới 10,8 GB/giây, hiệu suất ghi tăng gấp đôi thế hệ trước và khả năng tiết kiệm điện vượt trội, bộ nhớ lưu trữ UFS 5.0 được kỳ vọng trở thành nền tảng quan trọng cho thế hệ smartphone, thiết bị đeo và kính thực tế mở rộng (XR) tích hợp AI.

AI trên thiết bị thúc đẩy cuộc đua bộ nhớ lưu trữ tốc độ cao

Sự bùng nổ của AI tạo sinh trong những năm gần đây đang làm thay đổi cách các thiết bị điện tử xử lí dữ liệu. Nếu trước đây phần lớn tác vụ AI được thực hiện trên các máy chủ đám mây, xu hướng mới là đưa các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM) và các công cụ AI trực tiếp lên smartphone, thiết bị đeo hay kính XR.

Điều này khiến bộ nhớ lưu trữ không còn chỉ đóng vai trò là nơi chứa dữ liệu, mà trở thành một thành phần hạ tầng quan trọng quyết định tốc độ phản hồi, khả năng xử lí và trải nghiệm AI của người dùng.

Trong bối cảnh đó, Samsung đã giới thiệu giải pháp Universal Flash Storage (UFS) 5.0, chuẩn lưu trữ mới nhất được phát triển dựa trên tiêu chuẩn giao tiếp bộ nhớ nhúng của Hiệp hội Kỹ thuật Thiết bị Điện tử Chung (JEDEC).

Theo Samsung, UFS 5.0 được xây dựng trên công nghệ NAND xếp chồng thế hệ thứ 9 (V-NAND thế hệ 9), cho phép đạt tốc độ truyền dữ liệu lên tới 10,8 GB/giây. Đây là mức hiệu suất thuộc nhóm cao nhất hiện nay đối với bộ nhớ di động.

Không chỉ tốc độ đọc được cải thiện, tốc độ ghi tuần tự của UFS 5.0 cũng đạt tới 9,5 GB/giây, cao hơn gấp đôi so với chuẩn UFS 4.1 trước đó. Điều này giúp việc lưu trữ, truy xuất và xử lí các tập dữ liệu lớn phục vụ AI diễn ra nhanh hơn đáng kể.

Samsung cho biết độ trễ thấp hơn và băng thông cao hơn sẽ giúp các mô hình AI chạy trực tiếp trên thiết bị phản hồi nhanh hơn, đặc biệt trong các tác vụ như trợ lí ảo, dịch thuật thời gian thực, chỉnh sửa ảnh bằng AI hay tạo nội dung ngay trên smartphone mà không cần kết nối Internet.

Ông Choi Jang-seok, Giám đốc hoạch định sản phẩm bộ nhớ của Samsung Electronics, nhận định: “Trong kỷ nguyên AI trên thiết bị, các thiết bị lưu trữ đang trở thành yếu tố cốt lõi định hình trải nghiệm AI. Việc hoàn tất phát triển giải pháp UFS 5.0 đầu tiên của ngành cho thấy Samsung đang thiết lập tiêu chuẩn mới cho lưu trữ di động và tiếp tục thúc đẩy đổi mới trong thị trường nền tảng di động thế hệ tiếp theo”.

Nhỏ hơn, tiết kiệm điện hơn và mở rộng sang XR, thiết bị đeo AI

Bên cạnh hiệu suất, Samsung cũng tập trung cải thiện đáng kể khả năng tiết kiệm năng lượng của UFS 5.0. Công ty cho biết giải pháp mới đạt hiệu quả năng lượng cao hơn hơn 40% so với UFS 4.1.

Để đạt được điều này, Samsung áp dụng nhiều công nghệ mới như clock gating và multivoltage. Trong đó, clock gating giúp giảm mức tiêu thụ điện bằng cách tắt tín hiệu tại các khu vực của con chip không hoạt động. Trong khi đó, công nghệ đa điện áp chỉ cung cấp đúng lượng điện năng cần thiết cho từng mạch, qua đó giảm tiêu hao năng lượng và hạn chế phát sinh nhiệt.

Những cải tiến này đặc biệt quan trọng đối với các thiết bị AI thế hệ mới, vốn phải xử lí lượng dữ liệu lớn trong thời gian dài. Hiệu suất năng lượng tốt hơn đồng nghĩa với việc kéo dài thời lượng pin, giảm nhiệt độ hoạt động và nâng cao trải nghiệm sử dụng.

Một điểm đáng chú ý khác là kích thước của UFS 5.0 đã được thu gọn khoảng 16,7% so với thế hệ tiền nhiệm. Thiết kế siêu nhỏ gọn mang lại thêm không gian bên trong cho các nhà sản xuất thiết bị, giúp họ linh hoạt hơn trong việc bố trí pin, hệ thống tản nhiệt hoặc các linh kiện chuyên dụng phục vụ AI.

Samsung cho biết UFS 5.0 không chỉ hướng tới smartphone cao cấp mà còn được thiết kế để phục vụ nhiều dòng sản phẩm mới nổi như thiết bị đeo thông minh tích hợp AI và kính thực tế mở rộng (XR) – những lĩnh vực được dự báo sẽ tăng trưởng mạnh trong vài năm tới.

Công ty dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt UFS 5.0 từ quý IV năm nay với nhiều mức dung lượng khác nhau, lên tới 1 TB. Sau giai đoạn đầu triển khai trên smartphone flagship, Samsung sẽ mở rộng nguồn cung sang các thiết bị XR và AI wearable.

Trong khi đó, mảng bộ nhớ AI hiệu năng cao của Samsung cũng đang ghi nhận những kết quả tích cực. Theo các nguồn tin trong ngành, dòng bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 của hãng đã vượt mốc doanh thu 1 tỉ USD chỉ sau bốn tháng kể từ khi Samsung trở thành công ty đầu tiên trên thế giới sản xuất hàng loạt sản phẩm này vào tháng 2.

HBM4 được thiết kế cho các bộ tăng tốc AI thế hệ mới, bao gồm nền tảng Vera Rubin của Nvidia. Các bộ xử lí đồ họa của Nvidia hiện là nền tảng chủ lực vận hành nhiều mô hình AI tạo sinh trên toàn cầu.

Giới phân tích dự báo nhu cầu AI tiếp tục bùng nổ sẽ giúp Samsung đẩy mạnh sản lượng HBM4 trong nửa cuối năm. Doanh thu từ dòng sản phẩm này được kỳ vọng vượt 10 tỉ USD trong năm 2026, củng cố vị thế của hãng trong cuộc cạnh tranh ngày càng khốc liệt trên thị trường bộ nhớ phục vụ AI.